Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Tytuł pozycji:

Topienie pośrednie miedzi na podłożu molibdenowym za pomocą obustronnego układu grzania oporowego pod obniżonym ciśnieniem

Tytuł:
Topienie pośrednie miedzi na podłożu molibdenowym za pomocą obustronnego układu grzania oporowego pod obniżonym ciśnieniem
Autorzy:
Komorowski, J.
Binienda, M.
Pokrzywa, M.
Just, P.
Wołowiec, E.
Praska-Jaros, A.
Kula, P.
Data publikacji:
2012
Słowa kluczowe:
miedź
rafinacja
front krystalizacji
grzanie oporowe
grzanie pośrednie
copper refining
crystallization front
heat resistance
indirect heating
Język:
polski
Dostawca treści:
BazTech
Artykuł
  Przejdź do źródła  Link otwiera się w nowym oknie
W artykule przedstawiono wyniki prac nad przetapianiem miedzi w postaci proszku o wielkości ziarna wynoszącego 50 μm, dzięki wykorzystaniu obustronnego, pośredniego grzania oporowego grzałek wykonanych z materiału wysokotopliwego jakim jest wolfram [3]. Grzałki rozmieszczone są jedna nad drugą w odległości 0,02 m, pomiędzy którymi po środku znajduje się podłoże wykonane z materiału o wyższej temperaturze topnienia niż poddawany przetapianiu materiał. Układ grzałek wolframowych zapewnia równomierne rozgrzewanie powierzchni wyżej topliwego podłoża. W artykule przedstawiono schemat urządzenia do przetapiania sproszkowanej miedzi na podłożu wyżej topliwym oraz zdjęcia otrzymanych struktur przetopionej miedzi z procesów wykonanych z wykorzystaniem różnorodnych parametrów prądowych grzania oporowego podłoża.
This paper presents the results of work on the melting of copper in the form of a powder having a particle size of at 50 μm, by using both sides, the intermediate heat resistance heater made of a material which is of a high tungsten. Heaters are placed one above the other at a distance of 0.02 m between which the middle is a substrate made of a material having a higher melting point than the cast material. Tungsten heater circuit is arranged so that the uniformly heating the melt above the surface of the substrate. The paper resents the scheme of the device for melting copper powder on the floor above, fusible, and images obtained melted silicon structures of the processes carried out using a variety of parameters, current resistance heating of the substrate.

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies