Some electrical properties of thin layers of 9,10-dimethylanthracene and 1-acenaphthenol

Spectral grade materials obtained in zone-melting process from commercially available 1-acenaphthenol and 9,10-dimethyl-anthracene were characterized electrically. The layers vaporized in 10-5 Torr vacuum posses high resistivity of the order of 1011 - 1012 Ωm and the concentration of traps lower than 1015cm-3.

---

Zbadano własności elektryczne materiałów o czystości spektralnej uzyskanych metodą dodatkowego oczyszczania strefowego komercyjnie dostępnych 1-acenaftolu i 9,10-dimetyloantracenu. Warstwy wymienionych związków, naparowywane w próżni 10-5 Tr, wykazywały wysoką oporność właściwą w granicach 1011 - 10 12 Ωm i charakteryzowały się bardzo niską zawartością pułapek rzędu 1011 - 10 14 cm-3. Wyniki świadczą o stabilności molekuł badanych materiałów w warunkach naparowywania termicznego w próżni 10-5 Tr oraz o ich zdolności do łatwej nukleacji na złotych elektrodach. Warstwy wykazują stabilność rezystancji aż do wartości pola polaryzacji 2 · 107 V/m.