Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Tytuł pozycji:

Resistive Ni-W-P layers obtained by chemical metallization method

Szczegóły
Abstrakt

Tytuł:: Resistive Ni-W-P layers obtained by chemical metallization method
Autorzy:: Kowalik, P.
Pruszowski, Z.
Data publikacji:: 2015
Słowa kluczowe:: resistive layer
Ni-P
precision resistor
chemical metallization
warstwa rezystywna Ni-P
rezystor precyzyjny
metalizacja chemiczna
Język:: angielski
Dostawca treści:: BazTech
: Artykuł

Przejdź do źródła

The paper describes a new method of obtaining of Ni-W-P resistor layers, featuring elevated electrical stability. Such layers may be introduced into the manufacturing process of precise metal film resistor.

Artykuł opisuje nową metodę uzyskiwania warstw rezystywnych Ni-W-P, charakteryzujących się podwyższoną stabilnością elektryczną. Warstwy te mogą być wykorzystane do procesu wytwarzania precyzyjnych rezystorów warstwowych.

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies

Informacja

Resistive Ni-W-P layers obtained by chemical metallization method