Modularny przekształtnik wielopoziomowy z wykorzystaniem półprzewodników z azotku galu

W artykule opisano zagadnieniami związane z Modularnym Przekształtnikiem Wielopoziomowym wykonanym z wykorzystaniem tranzystorów HEMT z azotku galu (GaN). Przedstawiony został projekt obwodu silnoprądowego urządzenia oraz wymagania stawiane układowi sterowania. W publikacji przedstawiono również opis elektronicznej platformy sterującej dla przekształtnika.

---

The article describes issues related to the Modular Multilevel Converter made with the use of gallium nitride (GaN) HEMT transistors. The design of the power circuit of the device and the requirements for the control system are presented. The publication also presents the description of the electronic control platform designed to control the converter.

---

Opracowanie rekordu w ramach umowy 509/P-DUN/2018 ze środków MNiSW przeznaczonych na działalność upowszechniającą naukę (2019).