Azotkowe lasery typu VCSEL

Półprzewodnikowe lasery azotkowe o emisji powierzchniowej z pionową wnęką rezonansową (tzw. lasery VCSEL) ze względu na swoje specyficzne wlasności mogą stanowić w wielu zastosowaniach dobrą alternatywę dla klasycznych laserów z krawędziową emisją promieniowania (tzw. laserów EEL). Niestety mimo dużego postępu w wytwarzaniu azotkowych laserów EEL dopiero niedawno udało się wytworzyć pierwsze elektrycznie zasilane azotkowe lasery VCSEL, a ich parametry pozostawiają wiele do życzenia. W pracy omówiono podstawowe problemy związane z wytwarzaniem azotkowych laserów VCSEL. Przedstawiono ostatnie osiągnięcia w tej dziedzinie na świecie oraz podano wstępne wyniki symulacji tych struktur.

---

Nitride semiconductor vertical-cavity surface-emitting lasers (VCSELs) due to their specific properties offer an attractive alternative to the classical edge-emitting lasers (EELs). However, despite considerable progress in developing nitride-based EELs there has been no significant improvement in manufacturing electrically pumped VCSELs until recent years. Moreover, the operating parameters of the latter are not satisfactory. In this work the key problems with designing nitride VCSELs are discussed and both the latest development in this field and initial results of computer analysis of their different structures are presented.