Cienkowarstwowe półprzewodnikowe czujniki gazów

W pracy przedstawiono wpływ domieszkowania Cu i Nd warstw CeO2 oraz zastosowanej technologii wytwarzania warstw RuO2 na właściwości katalityczne cienkowarstwowych półprzewodnikowych czujników gazów. Wprowadzenie miedzi spowodowało poprawę własności katalitycznych w wyniku zwiększenia względnej prędkości wzrostu ziaren w kierunku (200) w porównaniu z kierunkiem (111). Wprowadzenie Nd+3 do struktury CeO2 spowodowało wzrost wakacji, a tym samym wzrost przewodności jonowej i nieznaczną poprawę własności katalitycznych. W wyniku zastosowania metody zol-żel uzyskano warstwy RuO2, na których zachodziło całkowite utlenianie gazu CH4 w przeciwieństwie do warstw wytworzonych techniką PLD.

---

The catalytic properties of the semiconductor gas sensor can be modified by: dopands, catalyst on the surface or using techniques. In this work the influence of the dopants like Cu and Nd in thin films CeO2 and using techniques (laser ablation and sol-gel) for produced RuO2 on the catalytic properties have been analyzed. For thin films doped 27% at. Cu and 6% at. Nd improvement of the catalytic properties was observed. The full oxidation of CH4 on RuO2 was observed only in thin films produced by sol-gel method.