Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Tytuł pozycji:

Diagnostyka stanu procesu syntezy związku półprzewodnikowego na podstawie pomiarów pośrednich

Tytuł:
Diagnostyka stanu procesu syntezy związku półprzewodnikowego na podstawie pomiarów pośrednich
Autorzy:
Orzyłowski, M.
Łobodziński, W.
Rudolf, Z.
Kałużniacki, T.
Nowicki, G.
Sawicki, J. P.
Zych, M.
Data publikacji:
2004
Słowa kluczowe:
diagnostyka
proces syntezy związku półprzewodnikowego
pomiary pośrednie
semiconductor
synthesis diagnostics based
indirect measurements
Język:
polski
Dostawca treści:
BazTech
Artykuł
  Przejdź do źródła  Link otwiera się w nowym oknie
Synteza związków półprzewodnikowych jest przeprowadzana w warunkach wysokiej temperatury i ciśnienia. W urządzeniu produkcyjnym nie ma możliwości bezpośredniego pomiaru zmiennych procesu wewnątrz reaktora. Dla zapewnienia bezpieczenśtwa pracy zastosowano system autodiagnostyczny, bazujący na modelu odniesienia, opisanym jako przebiegi mierzalnych pośrednich zmiennych procesu.
The synthesis of semiconductor compounds is processed in high temperature and pressure. The direct measurement of process variables inside of the reactor of the production system is unfeasible. For safety of the process the autodiagnostics based on the reference model described as the schedule of the changes of the measurable indirect process variables is applied.

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies