Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Tytuł pozycji:

Wide bandgap III-Nitride semiconductors : opportunities for future optoelectronics

Tytuł:
Wide bandgap III-Nitride semiconductors : opportunities for future optoelectronics
Autorzy:
Park, Y. S.
Data publikacji:
2001
Słowa kluczowe:
III-Nitride
optoelectronics
blue
green
white LED
laser diode
ultraviolet
photodetector
Język:
angielski
Dostawca treści:
BazTech
Artykuł
  Przejdź do źródła  Link otwiera się w nowym oknie
The world at the end of the 20th century has become "blue". Indeed, this past decade has witnessed a "blue rush" towards the develpment of violet-blue-green light emitting diodes (LEDs) and laser diodes (LDs) based on wide bandgap III-Nitride semiconductors. And the hard work has culminated with, first, the demonstration of commercial high brightness blue and green LEDs and of commercial violet LDs, at the very and of this decade. Thanks to their extraordinary properties, these semiconductor materials have generated a plethora of activity in semiconductor science and technology. Novel approaches are explored daily to improve the current optoelectronics state-of-the-art. Such improvements will extend the usage and the efficiency of new light sources (e.g. white LEDs), support the rising information technology age (e.g. high density optical data storage), and enhance the environmental awareness capabilities of humans (ultraviolet and visible photon detectors and sensor). Such opportunities and many others will be reviewed in this presentation.

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies