Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Tytuł pozycji:

Modelowanie charakterystyk I-V tranzystora MOS na węgliku krzemu (4H-SiC oraz 6H-SiC)

Szczegóły
Abstrakt

Tytuł:: Modelowanie charakterystyk I-V tranzystora MOS na węgliku krzemu (4H-SiC oraz 6H-SiC)
Autorzy:: Stęszewski, J.
Jakubowski, A.
Data publikacji:: 2005
Słowa kluczowe:: SiC MOS
symulacja charakterystyk I-V
węglik krzemu
SiC MOSFET
I-V characteristics simulation
silicon carbide
Język:: polski
Dostawca treści:: BazTech
: Artykuł

Przejdź do źródła

Za pomocą oprogramowania Silvaco Atlas, na podstawie dostępnych parametrów materiałowych, dokonano symulacji charakterystyk statycznych tranzystorów MOS na podłożu z dwóch heksagonalnych odmian węglika krzemu: 4H oraz 6H.

Static l-V characteristics of 4H- and 6H- MOSFETs (based on available silicon carbide material properties) were simulated using Silvaco Atlas software.

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies

Informacja

Modelowanie charakterystyk I-V tranzystora MOS na węgliku krzemu (4H-SiC oraz 6H-SiC)