Mechanizm spontanicznego zarodkowania i wzrostu techniką MBE oraz właściwości nanodrutów GaN

Praca przedstawia aktualny stan wiedzy na temat zarodkowania bez użycia zewnętrznego katalizatora i wzrostu techniką epitaksji z wiązek molekularnych z plazmowym źródłem azotu (plasma-assisted molecular beam epitaxy - PAMBE) nanodrutów azotku galu, a także perspektywy zastosowań takich struktur w wydajnych przyrządach mikroelektronicznych, optoelektronicznych i w sensorach biochemicznych. Szczególny nacisk położony jest na badania prowadzone w tym zakresie w Zespole Wzrostu MBE Nanostruktur Azotko wych Instytutu Fizyki PAN w Warszawie. Omówione są zagadnienia związane z badaniami mechanizmu spontanicznego zarodkowania nanodrutów GaN, w tym wykorzystanie technik RHEED i spektroskopii masowej do obserwacji in-situ procesów zachodzących na podłożu w trakcie nukleacji i wzrostu nanodrutów. Następnie przedstawione są typowe właściwości strukturalne i optyczne nanodrutów GaN na podłożach Si i amorficznych warstwach AlxOy. Pokazane jest jak mikrostruktura podłoża determinuje kinetykę zarodkowania, ułożenie na podłożu, polarność i właściwości optyczne nanodrutów. W końcowej części przedstawione są przykłady wytwarzania i zastosowań w badaniach fizycznych bardziej złożonych struktur nanodrutów półprzewodników azotkowych.