Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Tytuł pozycji:

Badania właściwości tranzystora Z-FET MOSFET wykonanego z węglika krzemu CMF20120D firmy CREE

Szczegóły
Abstrakt

Tytuł:: Badania właściwości tranzystora Z-FET MOSFET wykonanego z węglika krzemu CMF20120D firmy CREE
Autorzy:: Sak, T.
Parchomiuk, M.
Data publikacji:: 2013
Słowa kluczowe:: węglik krzemu
tranzystor SiC MOSFET
badania
silicon carbide
SiC MOSFET transistor
research
Język:: polski
Dostawca treści:: BazTech
: Artykuł

Przejdź do źródła

Przedstawiono wyniki badań tranzystora CMF20120D wykonanego z węglika krzemu w standardowym teście dwupulsowym.

The paper presents results of tests (standard two-pulse tests) of CMF20120D transistor made of silicon carbide.

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies

Informacja

Badania właściwości tranzystora Z-FET MOSFET wykonanego z węglika krzemu CMF20120D firmy CREE