Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Tytuł pozycji:

Intra-Shallow-Donor Photoconductivity in Semi-Insulating GaAs

Szczegóły
Opis

Tytuł:: Intra-Shallow-Donor Photoconductivity in Semi-Insulating GaAs
Autorzy:: Karpierz, K.
Sadowski, M. L.
Data publikacji:: 1991-01
Wydawca:: Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:: 72.40.+w
78.20.ls
78.50.Ec
78.50.Ge
Źródło:: Acta Physica Polonica A; 1991, 79, 1; 121-124
0587-4246
1898-794X
Język:: angielski
Prawa:: Wszystkie prawa zastrzeżone. Swoboda użytkownika ograniczona do ustawowego zakresu dozwolonego użytku
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki
: Artykuł

Przejdź do źródła

The far-infrared photoconductivity of a semi-insulating GaAs sample was measured at 4.2 K as a function of magnetic field up to 7 T. Apart from a peak corresponding to the 1s - 2p$\text{}_{+1}$ transition of the hydrogen-like shallow donor, a well-pronounced structure was observed which does not appear in n-type GaAs.

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies

Informacja

Intra-Shallow-Donor Photoconductivity in Semi-Insulating GaAs