Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Tytuł pozycji:

Topographic and reflectometric investigation of crystallographic defects and surface roughness in 4H silicon carbide homoepitaxial layers deposited at various growth rates

Szczegóły
Opis

Tytuł:: Topographic and reflectometric investigation of crystallographic defects and surface roughness in 4H silicon carbide homoepitaxial layers deposited at various growth rates
Autorzy:: Wierzchowski, W.
Współwytwórcy:: Balcer, T.
Paulmann, C.
Strupiński, W.
Kościewicz, K.
Wieteska, K.
Mazur, K.
Data publikacji:: 2012
Język:: angielski
Prawa:: http://www.europeana.eu/rights/rr-f/
Publikacja udostępniona za zgodą wydawcy. Całość ani żadna z jej części nie może być przetwarzana ani wykorzystywana w celach komercyjnych
Dostawca treści:: Academica
: Artykuł

Przejdź do źródła

Materiały konferencyjne: "Proceedings of the 9th National Symposium of Synchrotron Radiation Users", Warszawa.

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies

Informacja

Topographic and reflectometric investigation of crystallographic defects and surface roughness in 4H silicon carbide homoepitaxial layers deposited at various growth rates