Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Tytuł pozycji:

Spektroskopia pojemnościowa głębokich poziomów defektowych (DLTS) w diodach Schottkyego z węglika krzemu (4H-SiC) implantowanych jonami

Szczegóły
Opis

Tytuł:: Spektroskopia pojemnościowa głębokich poziomów defektowych (DLTS) w diodach Schottkyego z węglika krzemu (4H-SiC) implantowanych jonami
Autorzy:: Gelczuk, Łukasz
Współwytwórcy:: Dąbrowska-Szata, Maria (1946- )
Politechnika Wrocławska. Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki. Wydziałowy Zakład Technologii i Diagnostyki Struktur Mikroelektronicznych
Data publikacji:: 2012
Źródło:: Biblioteka Narodowa
Język:: polski
Prawa:: http://www.europeana.eu/rights/rr-r/
Publikacja chroniona prawem autorskim - reprodukcja cyfrowa dostępna w czytelniach BN i na terminalach Academiki
Dostawca treści:: Academica
: Artykuł

Przejdź do źródła

Bibliogr.

Streszcz. ang.

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies

Informacja

Spektroskopia pojemnościowa głębokich poziomów defektowych (DLTS) w diodach Schottkyego z węglika krzemu (4H-SiC) implantowanych jonami