Wpływ procesu wygrzewania w atmosferze O2 i N2O na właściwości warstwy przejściowej dielektryk/półprzewodnik w kondensatorach MOS AI/SiO2/4H-SiC

Szczegóły
Opis

Tytuł:: Wpływ procesu wygrzewania w atmosferze O2 i N2O na właściwości warstwy przejściowej dielektryk/półprzewodnik w kondensatorach MOS AI/SiO2/4H-SiC
Współwytwórcy:: Kalisz, Małgorzata
Instytut Tele- i Radiotechniczny
Sochacki, Mariusz
Szmidt, Jan
Król, Krystian
Instytut Transportu Samochodowego
Politechnika Warszawska. Wydział Elektroniki i Technik Informacyjnych. Instytut Mikroelektroniki i Optoelektroniki
Data publikacji:: 2012
Źródło:: Biblioteka Narodowa
Język:: polski
Prawa:: http://www.europeana.eu/rights/rr-r/
Publikacja chroniona prawem autorskim - reprodukcja cyfrowa dostępna w czytelniach BN i na terminalach Academiki
Dostawca treści:: Academica
: Artykuł

Przejdź do źródła

Bibliogr.

Streszcz. ang.

Materiały z konferencji: XI Krajowa Konferencja Elektroniki. Sesja Specjalna InTechFun POIG.01.03.01-00-159/08; Darłówko Wschodnie, 11-14.06.2012.

Informacja

Wpływ procesu wygrzewania w atmosferze O2 i N2O na właściwości warstwy przejściowej dielektryk/półprzewodnik w kondensatorach MOS AI/SiO2/4H-SiC