Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Tytuł pozycji:

Characterisation of (100) GaSb passivated surfaceu using next generation 3D digital microscopy

Szczegóły
Opis

Tytuł:: Characterisation of (100) GaSb passivated surfaceu using next generation 3D digital microscopy
Autorzy:: Papis-Polakowska, Ewa
Współwytwórcy:: Leonhardt, E.
Kaniewski, Janusz (fizyk)
Data publikacji:: 2014
Tematy:: Fizyka
Źródło:: Biblioteka Narodowa
Język:: angielski
Prawa:: http://www.europeana.eu/rights/rr-f/
Publikacja udostępniona za zgodą wydawcy. Całość ani żadna z jej części nie może być przetwarzana ani wykorzystywana w celach komercyjnych
Dostawca treści:: Academica
: Artykuł

Przejdź do źródła

Materiały z 15th International Conference on Defects Recognition, Imaging and Physics in Semiconductors 15-19 September 2013, Warsaw.

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies

Informacja

Characterisation of (100) GaSb passivated surfaceu using next generation 3D digital microscopy