Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Tytuł pozycji:

The effect of phosphorus incorporation into SiO2/4H-SiC (0001) interface on electrophysical properties of MOS structure

Szczegóły
Opis

Tytuł:: The effect of phosphorus incorporation into SiO2/4H-SiC (0001) interface on electrophysical properties of MOS structure
Współwytwórcy:: Szmidt, Jan (1952- )
Sochacki, Mariusz (elektronik)
Król, Krystian
Miśnik, Maciej
Konarski, Piotr (fizyk)
Data publikacji:: 2014
Tematy:: Fizyka
Źródło:: Biblioteka Narodowa
Język:: angielski
Prawa:: http://www.europeana.eu/rights/rr-f/
Publikacja udostępniona za zgodą wydawcy. Całość ani żadna z jej części nie może być przetwarzana ani wykorzystywana w celach komercyjnych
Dostawca treści:: Academica
: Artykuł

Przejdź do źródła

Bibliogr.

Materiały z 43 Międzynarodowej Szkoły i Konferencji na temat Fizyki Półprzewodników "Jaszowiec 2014', Wisła, 7-12 czerwca 2013.

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies

Informacja

The effect of phosphorus incorporation into SiO2/4H-SiC (0001) interface on electrophysical properties of MOS structure