Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Tytuł pozycji:

Photoelectrochemistry of n-type antimony sulfoiodide nanowires

Tytuł:
Photoelectrochemistry of n-type antimony sulfoiodide nanowires
Autorzy:
Irzmański, Jakub
Mech, Justyna
Tokarski, Tomasz
Kwolek, Przemysław
Szaciłowski, Konrad
Pilarczyk, Kacper
Data publikacji:
2015
Słowa kluczowe:
emi- conductors
ntimony sulfoiodide
photoelectrochemical photocurrent switching effect
photoelectrochemistry
sonochemical synthesis
Język:
angielski
ISBN, ISSN:
09574484
Linki:
http://ruj.uj.edu.pl/xmlui/handle/item/18260  Link otwiera się w nowym oknie
Dostawca treści:
Repozytorium Uniwersytetu Jagiellońskiego
Artykuł
In the presented work the photoelectrochemical properties of SbSI along with the electronic structure (i.e. conduction and valence band edge potentials as well as conductivity type) of sonochemically obtained nanowires are discussed for the fi rst time. The spectroscopic investigations indicate interesting optical properties, including surface isotope effect and excitonic emission. The photoelectrochemical investigation of SbSI revealed the occurrence of the photoelectrochemical photocurrent switching effect. It may be de fi ned as a change in photocurrent direction (generated at the illuminated semiconducting electrode immersed in electrolyte) due to an appropriate polarization of the electrode versus the reference electrode. It is often observed for semiconductors as a result of the reduction of molecular oxygen dissolved in the electrolyte. However, in the case of SbSI, the photocurrent switching was recorded regardless of the presence of molecular oxygen in the electrolyte, probably due to the reduction of triiodide species formed at anodic polarization of the SbSI electrode, in an iodide-containing electrolyte. The switching potential (i.e. the potential where anodic-to-cathodic photocurrent transition occurs) equals to ca. 0.4 V versus standard hydrogen electrode, which is close to the formal potential of the I − /I 3 − redox couple. Therefore, this semiconducting material is of potential interest for the construction of new photovoltaic systems, novel optoelectronic switches and logic devices.

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies