Analiza wpływu wybranych aspektów technologii wykonania tranzystora MOSFET na krytyczne parametry użytkowe

W pracy przedstawiono analizę numeryczną wpływu wybranych procesów technologicznych na krytyczne parametry użytkowe n-kanałowego tranzystora DIMOSFET opartego o materiał szerokopasmowy – węglik krzemu 4H-SiC. Analizie poddano wpływ procesów implantacji obszarów warstwy dryftu oraz implantacji obszarów wysp typu p na napięcie krytyczne Uds max oraz charakterystyki wyjściowe i przejściowe przyrządu. Parametry te definiują praktyczną użyteczność przyrządu w przypadku zastosowania materiału w przyrządach mocy.

---

This work presents a numerical analysis of the influence of the chosen critical technology processes on critical application parameters of n-channel DIMOSFET transistor manufactured on 4H-SiC widebandgap semiconductor. Presented analysis concerns the impact of drift layer and p-well implantation processes on breakdown voltage Uds max, transient and output characteristics. These parameters are most important for practical implementation of SiC MOSFET as a power device.