Influence of low-temperature annealing of AlGaN/GaN heterostructures on adhesion of evaporated Pt-based Schottky contacts

The paper describes alternative method to improve adhesion of platinum thin layer to AlGaN/GaN heterostructures. Our approach was to use low temperature annealing before and during deposition process. The main goal was to observe if such treatment can provide better quality of Schottky contacts to AlGaN/GaN heterostructures.

---

Artykuł opisuje alternatywną metodę poprawy adhezji cienkich warstw platynowych do heterostruktur utworzonych na azotku galu. Zastosowano niskotemperaturowe wygrzewanie przed i w trakcie procesu osadzania. Głównym celem było sprawdzenie, czy takie potraktowanie próbki może zapewnić lepszą jakość kontaktów Schottky’ego do heterostruktur AlGaN/GaN.