Investigations of the Implanted Layer in Silicon Based on the Modulated Free Carrier Absorption Phenomenon

This paper presents experimental amplitude MFCA characteristics of the implanted silicon samples. Influence of the silicon implantation process for frequency MFCA characteristics has been analyzed. The idea and the experimental set-up of the proposed method have been presented and discussed. This paper proves that is possible to estimate depth of the implanted layer from MFCA experimental data.

---

W artykule przedstawiono eksperymentalne charakterystyki MFCA dla próbek implantowanego krzemu. Przeanalizowano wpływ procesu implantacji krzemu na charakterystyki MFCA. Przedstawiono i poddano dyskusji ideę zaproponowanej metody oraz stanowisko eksperymentalne. Praca udowadnia, że możliwa jest estymacja głębokości warstwy implantowanej na podstawie eksperymentalnych charakterystyk MFCA.