Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Tytuł pozycji:

Ab initio calculation of the electron.phonon interaction on semiconductors

Szczegóły
Abstrakt

Tytuł:: Ab initio calculation of the electron.phonon interaction on semiconductors
Autorzy:: Rawinski, A. F.
Data publikacji:: 1999
Słowa kluczowe:: półprzewodnik
elektron-fonon
semiconductor
electron-phonon
Język:: angielski
Dostawca treści:: BazTech
: Artykuł

Przejdź do źródła

The density-functional approach is used to investigate the electron-phonon matrix element for transition between selected electronic states in silicon.

W ramach teorii funkcjonału gęstości obliczono prawdopodobieństwo przejść elektronów pomiędzy poszczególnymi stanami w pasmie przewodnictwa krzemu. Przejścia te wynikają z oddziaływania elektron - fonon.

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies

Informacja

Ab initio calculation of the electron.phonon interaction on semiconductors