Nowe materiały półprzewodnikowe do produkcji przyrządów energoelektronicznych

Dokonano przeglądu osiągnięć, opublikowanych w materiałach konferencyjnych oraz czasopismach technicznych dotyczących przyrządów energoelektronicznych wytworzonych z nowych materiałów takich, jak arsenek galu (GaAs), węglik krzemu (SiC) oraz syntetyczny diament (C). Materiały te zaczynają stopniowo wchodzić do techniki energoelektronicznej jako uzupełnienie dominujących rozwiązań opartych na krzemie. Omówiono właściwości i możliwości stosowania różnych materiałów do produkcji przyrządów energoelektronicznych. Zaprezentowano również parametry techniczne i właściwości eksploatacyjne eksperymentalnych przyrządów półprzewodnikowych wykonanych z wymienionych wyżej materiałów, a zwłaszcza węglika krzemu, który obecnie rokuje największe nadzieje w zakresie produkcji przyrządów energoelektronicznych. Przedstawiono powstające możliwości zastosowań układów energoelektronicznych zbudowanych w oparciu o przyrządy wykonane z materiałów technologicznych nowej generacji.

---

The paper presents a review of achievements, published in conference proceedings and technical journals, concerning power electronics devices produced of new materials such as gallium arsenide (Ga As), silicon carbide (Si C) and synthetic diamond (C). These materials begin gradually to be used in power electronics technology as a supplement to the solutions based on silicone, dominating so far. Properties and application possibilities of various materials for manufacture of power electronics devices are discussed. Technical parameters and operation properties of experimental semiconductor devices made of the materials mentioned above are discussed, in particular of those made of silicon carbide which at present presages best in the range of power electronics devices. Application possibilities of power electronics systems, emerging at present, basing on devices made of new generation technological materials are presented.