Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Tytuł pozycji:

Electrical and photoelectric characterization of the MOS structures on 3C-SiC substrate

Szczegóły
Abstrakt

Tytuł:: Electrical and photoelectric characterization of the MOS structures on 3C-SiC substrate
Autorzy:: Piskorski, K.
Przewłocki, H. M.
Esteve, R.
Bakowski, M.
Data publikacji:: 2011
Słowa kluczowe:: silicon carbide
SiC
MOS structure
band diagram
Język:: angielski
Dostawca treści:: BazTech
: Artykuł

Przejdź do źródła

In this work results are presented of the electrical and photoelectric measurements of MOS capacitors, consisting of an Al gate of thickness 25 nm, SiO2 insulator of thickness 60 nm, and n-doped 3C-SiC. Many different measurement techniques are employed in order to completely define all parameters of the band diagram of the MOS structure, which is the main goal of these investigations.

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies

Informacja

Electrical and photoelectric characterization of the MOS structures on 3C-SiC substrate