Efekty polowe w warstwach tlenkowych

W pracy badano właściwości emisyjne cienkich i domieszkowanych warstw In₂O₃ i SnO₂ (ITO). Warstwy tlenkowe były nałożone na podłoża szklane i poddane działaniu pola elektrycznego i światła UV. Badano wtórną emisję elektronów sterowaną polem elektrycznym oraz połowo indukowaną emisję elektronową. Natężenie pola elektrycznego wewnątrz emitera było rzędu 1 MV/m. Polowe zjawiska emisyjne bazują na efekcie Maltera. Metoda emisji indukowanej polem polega na analizie widma impulsów napięciowych z powielacza elektronowego. Wyznaczono wydajność emisyjną i rozkłady energetyczne elektronów w zależności od natężenia pola elektrycznego wewnątrz emitera, grubości warstwy ITO oraz oświetlenia. Wyjaśniając mechanizm tych zjawisk podano główne założenia polowego rozdziału warstwy ITO na strefę zubożoną i wzbogaconą w nośniki ładunku. Zaproponowano fenomenologiczny model zjawisk emisyjnych uwzględniający cztery typy mechanizmów emisji elektronowej wywołanej działaniem pola elektrycznego oraz efektami powierzchniowymi i objętościowymi.

---

In this work, emission properties of thin and doped In₂O₃ and SnO₂ layers (ITO) have been studied. The films were deposited on a glass substrate and exposed to electric field and UV light. The studied emission phenomena were: field induced secondary electron emission and field induced electron emission. Electric field inside the emitter was of the order of 1 MV/m. The field induced electron emission (FIEE) is based on Malter effect. The FIEE measurements relied on determination and analysis of voltage pulse amplitude spectra from a photomultiplier. Emission yield and electron energy distributions as a function of field intensity in the emitter, the ITO thickness and UV illumination have been determined. A phenomenological model of the investigated phenomena has been suggested which includes four types of emission mechanisms: an ordinary one (induced exclusively by electric field) and another caused mainly by surface, volume and tunnel effects.