Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Tytuł pozycji:

Characterization of oxidized porous silicon layer in FIPOS structure

Szczegóły
Abstrakt

Tytuł:: Characterization of oxidized porous silicon layer in FIPOS structure
Autorzy:: Domański, K.
Półrolnik, E.
Beck, R. B.
Brzozowski, A.
Data publikacji:: 1999
Język:: angielski
Dostawca treści:: BazTech
: Artykuł

Przejdź do źródła

Silicon anodization and porous silicon oxidation for SOI devices applications requires among others deternination of device layer isolation quality. This work reports an investigation of basic electrical properties (dielectric constant, fixed oxide charge, electrical immunity) of oxidized porous silicon in metal-oxide-semiconductor and semiconductor-insulator-semiconducor capacitors.

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies

Informacja

Characterization of oxidized porous silicon layer in FIPOS structure