Zależność parametrów elektrycznych struktury MOS wykonanej na podłożu SiC od wielkości metalowej bramki

W pracy przedstawiono wyniki pomiarów parametrów elektrycznych struktur metal-SiO₂-SiC uzyskanych na podstawie elektrycznych i fotoelektrycznych technik charakteryzacji. Parametry te, do których należą efektywna kontaktowa różnica potencjałów φMS, wysokość bariery potencjału na granicy metal-dielektryk E BG oraz napięcie wyprostowanych pasm w półprzewodniku V FB wykreślone w funkcji współczynnika R, zdefiniowanego jako stosunek obwodu do pola powierzchni bramki badanej struktury, wykazują malejącą tendencję wraz ze wzrostem wartości R. Kierunek tych zmian dowodzi, że wartości lokalne tych parametrów mierzone na rogach bądź krawędziach bramki są mniejsze od tych, mierzonych na jej środku.

---

In this work studies of some electrical parameters of the MOS structure based on 3C-SiC are presented. The effective contact potential difference φMS, the barrier height at the gate-dielectric interface E BG and the flat-band in semiconductor voltage V FB were measured using several electric and photoelectric techniques. Values of these parameters obtained on structures with different gate areas decrease monotonically with increasing parameter R, defined as the ratio of the gate perimeter to the gate area. Such behavior confirmed results obtained on MOS structures on silicon substrate and also supported our hypothesis that the mechanical stress in the dielectric layer under the metal gate causes non uniform distribution of some parameters of MOS structure.