Technologia wytwarzania krzemowych warstw lateralnych dla zastosowań PV

Niniejsza praca prezentuje technikę epitaksji z fazy ciekłej jako ekonomiczną metodę uzyskiwania cienkich warstw krzemowych dla zastosowań PV. W rezultacie przeprowadzonych badań stwierdzono, że możliwe jest optymalne dobranie warunków technologicznych procesu wzrostu tak, aby otrzymywane warstwy charakteryzowały się minimalną gęstością defektów przy maksymalnej wartości wydłużenia warstw.

---

This work presents liquid phase epitaxy as a technique of growth of silicon thin layers for PV applications. Results of the investigation show that it is possible to set the experimental conditions of the process of growth to obtain layers characterized by minimum defect density and maximum aspect ratio at the same time.