Heterozłącza p-CuO/n-Si dla zastosowań fotowoltaicznych

W artykule został przedstawiony stan wiedzy na temat heterozłączy p-CuO/n-Si oraz ich zastosowań w fotowoltaice. Na tym tle zostały zaprezentowane wyniki naszych badań w dziedzinie technologii otrzymywania takich struktur, badań ich właściwości fizycznych metodami rentgenowskimi i elektronomikroskopowymi oraz badań ich właściwości fotowoltaicznych. Heterozłącza p-CuO/n-Si zostały otrzymane dzięki zastosowaniu nowej metody, opracowanej w naszym Instytucie (Łukasiewicz - ITR), polegającej na połączeniu metody PVD i metody utleniania termicznego. Szczegóły metody opisane są w artykule. Wyniki pomiarów fotoprądów pokazały, że opracowane struktury są odpowiednie do zastosowań fotowoltaicznych.

---

The state-of-art in a field of p-CuO/n-Si heterojunctions and their application in photovoltaics is presented in this paper. On this background the results of our studies concerning technology of such structures preparation, their properties investigated with x-ray diffraction and electron-microscopy methods as well as their photovoltaic properties are shown. The p-CuO/n-Si heterojunctions were prepared by innovative method elaborated in our Institute (Łukasiewicz - ITR). This method connects PVD and thermal oxidation methods. Details of this method are described in the paper. The results of photovoltaic measurements exhibited that prepared p-CuO/n-Si heterojunctions are suitable for photovoltaic applications.