Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Tytuł pozycji:

Temperature dependence of the bandgap of Eu doped {ZnCdO/ZnO}30 multilayer structures

Tytuł:
Temperature dependence of the bandgap of Eu doped {ZnCdO/ZnO}30 multilayer structures
Autorzy:
Przeździecka, Ewa
Współwytwórcy:
Przeździecka, Ewa
Wydawca:
RepOD
Tematy:
Physics
CdO
ZnO
SLs
Dostawca treści:
Repozytorium Otwartych Danych
Inne
  Przejdź do źródła  Link otwiera się w nowym oknie

Wyniki zawarte dotyczą temperaturowej zależności pasma wzbronionego dla struktur wielowarstwowych domieszkowanych Eu {ZnCdO/ZnO}30 wykonanych metodą MBE

Dane zawierają badania wielo-warstw tlenkowych. Systemy wielowarstwowe {ZnCdO/ZnO}30 domieszkowane Eu in situ hodowano na podłożach Si typu p i podłożach kwarcowych metodą epitaksji z wiązek molekularnych wspomaganą plazmą. Różne stężenia Eu w próbkach osiągnięto kontrolując temperaturę komórki efuzyjnej europu. Właściwości wyhodowanych i wygrzewanych wielowarstwowych {ZnCdO/ZnO}30:Eu badano za pomocą spektrometrii mas jonów wtórnych (SIMS) i dyfrakcji promieni rentgenowskich. Pomiary SIMS wykazały, że wyżarzanie w temperaturach 700°C i 900°C praktycznie nie zmieniło stężenia Eu, a profile głębokości pierwiastków ziem rzadkich są jednolite. Stwierdzono, że przerwa wzbroniona zależy od stężenia Eu i ulega zmianie w wyniku szybkiego wyżarzania termicznego. Do opisu zależności temperaturowej pasma wzbronionego struktur wielowarstwowych {ZnCdO/ZnO}30:Eu wykorzystano równania Varshniego i Bosego-Eusteina oraz uzyskano temperatury Debye'a i Einsteina. 

Opis wynikow znajduje sie w pliku readme.txt

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies