Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Tytuł pozycji:

Research data for "Influence of GaN substrate miscut on the XRD quantification of plastic relaxation in InGaN" published in Acta Materialia vol 276, 120082 (2024)

Szczegóły
Opis

Tytuł:: Research data for "Influence of GaN substrate miscut on the XRD quantification of plastic relaxation in InGaN" published in Acta Materialia vol 276, 120082 (2024)
Autorzy:: Smalc-Koziorowska, Julita
Współwytwórcy:: Smalc-Koziorowska, Julita
Data publikacji:: 2024-10-11
Wydawca:: RepOD
Tematy:: Physics
InGaN,
misfit stress
x-ray diffraction
Dostawca treści:: Repozytorium Otwartych Danych
: Inne

Przejdź do źródła

The data contains original cathodoluminescence and transmission electron microscopy images used to construct the figures in this article. The data also contains original X-ray diffraction data used to construct X-ray maps.

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies

Informacja

Research data for "Influence of GaN substrate miscut on the XRD quantification of plastic relaxation in InGaN" published in Acta Materialia vol 276, 120082 (2024)