Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Tytuł pozycji:

Paramagnetic State of Hydrogen-Passivated Double-Donor Centers in Silicon

Tytuł:
Paramagnetic State of Hydrogen-Passivated Double-Donor Centers in Silicon
Autorzy:
Gregorkiewicz, T.
Zevenbergen, I. S.
Martynov, Yu. V.
Ammerlaan, C. A. J.
Data publikacji:
1995-10
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
76.30.Lh
61.72.Bb
76.70.Dx
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1995, 88, 4; 735-738
0587-4246
1898-794X
Język:
angielski
Prawa:
Wszystkie prawa zastrzeżone. Swoboda użytkownika ograniczona do ustawowego zakresu dozwolonego użytku
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
  Przejdź do źródła  Link otwiera się w nowym oknie
Hydrogenation of two double donor centers in silicon - substitutional sulfur and thermal donor - is studied by electron paramagnetic resonance and electron-nuclear double resonance. For both centers the existence of a new paramagnetic S = 1/2 state identified as the neutral charge state of the double donor passivated with a single hydrogen atom is concluded. The microscopic structure of such complexes is discussed.

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies