Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Tytuł pozycji:

Electrochemically-gated field-effect transistor with indium tin oxide nanoparticles as active layer

Szczegóły
Opis

Tytuł:: Electrochemically-gated field-effect transistor with indium tin oxide nanoparticles as active layer
Autorzy:: Dasgupta, S.
Współwytwórcy:: Kruk, R.
Dehm, S.
Hahn, H.
Data publikacji:: 2009
Język:: angielski
Prawa:: http://www.europeana.eu/rights/rr-f/
Publikacja udostępniona za zgodą wydawcy. Całość ani żadna z jej części nie może być przetwarzana ani wykorzystywana w celach komercyjnych
Dostawca treści:: Academica
: Artykuł

Przejdź do źródła

Materiały konferencyjne: "The XLII Zakopane School of Physics", Zakopane.

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies

Informacja

Electrochemically-gated field-effect transistor with indium tin oxide nanoparticles as active layer