Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Tytuł pozycji:

Wpływ wygrzewania na jakość warstw SiO₂ wytwarzanych na podłożach 4H-SiC metodą utleniania termicznego

Szczegóły
Opis

Tytuł:: Wpływ wygrzewania na jakość warstw SiO₂ wytwarzanych na podłożach 4H-SiC metodą utleniania termicznego
Współwytwórcy:: Instytut Tele- i Radiotechniczny
Instytut Transportu Samochodowego
Kalisz, Małgorzata
Król, Krystian
Sochacki, Mariusz
Politechnika Warszawska. Wydział Elektroniki i Technik Informacyjnych. Instytut Mikroelektroniki i Optoelektroniki
Szmidt, Jan
Data publikacji:: 2011
Źródło:: Biblioteka Narodowa
Język:: polski
Prawa:: http://www.europeana.eu/rights/rr-r/
Publikacja chroniona prawem autorskim - reprodukcja cyfrowa dostępna w czytelniach BN i na terminalach Academiki
Dostawca treści:: Academica
: Artykuł

Przejdź do źródła

Bibliogr.

Streszcz. ang.

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies

Informacja

Wpływ wygrzewania na jakość warstw SiO₂ wytwarzanych na podłożach 4H-SiC metodą utleniania termicznego