Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Tytuł pozycji:

Structure and charge compensation of heteropolar SiC/GaN interfaces

Szczegóły
Opis

Tytuł:: Structure and charge compensation of heteropolar SiC/GaN interfaces
Autorzy:: Sznajder, Małgorzata Alina
Współwytwórcy:: Majewski, Jacek A.
Data publikacji:: 2013
Tematy:: Fizyka
Źródło:: Biblioteka Narodowa
Język:: angielski
Prawa:: http://www.europeana.eu/rights/rr-f/
Publikacja udostępniona za zgodą wydawcy. Całość ani żadna z jej części nie może być przetwarzana ani wykorzystywana w celach komercyjnych
Dostawca treści:: Academica
: Artykuł

Przejdź do źródła

Materiały z 42nd "Jaszowiec" International School and Conference on the Physics of Semiconductors, Wisła, 22-27 czerwca 2013 r.

Bibliogr.

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies

Informacja

Structure and charge compensation of heteropolar SiC/GaN interfaces