Domieszkowanie monokryształów antymonku galu na typ przewodnictwa n oraz na typ p

Tytuł:: Domieszkowanie monokryształów antymonku galu na typ przewodnictwa n oraz na typ p
Materiały Elektroniczne 2010 T.38 nr 1
Domieszkowanie monokryształów antymonku galu na typ przewodnictwa n oraz na typ p = Doping gallium antimonide single crystals for n-type and p-type conductivity
Autorzy:: Mirowska Aleksandra
Współwytwórcy:: Orłowski Wacław
Data publikacji:: 2010
Wydawca:: ITME
Słowa kluczowe:: Si
GaSb
Zn
GDMS
koncentracja domieszek
domieszkowanie
Electronic - materials
Materiały elektroniczne
metoda Czochralskiego
doping
Electronic - journal - materials
dopant concentration
Elektronika - czasopismo - materiały
Cz method
Te
Źródło:: http://katalog.pan.pl/webpac-bin/218bitmePL/wgbroker.exe?new+-access+top+search+open+NR+kv_6032
http://katalog.pan.pl/webpac-bin/218bitmeEN/wgbroker.exe?new+-access+top+search+open+NR+kv_6032
ITME, sygn. dostępny
Język:: polski
Prawa:: Prawa zastrzeżone - dostęp nieograniczony
Rights Reserved - Free Access
Linki:: https://rcin.org.pl/dlibra/publication/edition/18068/content Link otwiera się w nowym oknie
Dostawca treści:: RCIN - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych
: Książka

Przejdź do źródła

17-32 s. : il. 30 cm.

Bibliogr. s. 30-31

Informacja