Badanie defektów krystalograficznych generowanych w trakcie operacji wytwarzania tranzystora p-n-p = Examination of crystallographic defects during p-n-p transistor process technology

Tytuł:: Badanie defektów krystalograficznych generowanych w trakcie operacji wytwarzania tranzystora p-n-p = Examination of crystallographic defects during p-n-p transistor process technology
Materiały Elektroniczne 1978 nr 3(23)
Badanie defektów krystalograficznych generowanych w trakcie operacji wytwarzania tranzystora p-n-p
Autorzy:: Hofman Władysław
Współwytwórcy:: Pawłowska Marta
Wąsowski Jan
Wierzchowski Wojciech
Data publikacji:: 1979
Wydawca:: Wydaw. Przemysłu Maszynowego "WEMA"
Słowa kluczowe:: crystallographic defect
Electronic - materials
Materiały elektroniczne
tranzystor
p-n-p
Electronic - journal - materials
transistor technology
Elektronika - czasopismo - materiały
defekt krystalograficzny
Źródło:: http://katalog.pan.pl/webpac-bin/218bitmePL/wgbroker.exe?new+-access+top+search+open+NR+kv_5504
http://katalog.pan.pl/webpac-bin/218bitmeEN/wgbroker.exe?new+-access+top+search+open+NR+kv_5504
ITME, sygn. dostępny
Język:: polski
Prawa:: Prawa zastrzeżone - dostęp nieograniczony
Rights Reserved - Free Access
Linki:: https://rcin.org.pl/dlibra/publication/edition/18406/content Link otwiera się w nowym oknie
Dostawca treści:: RCIN - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych
: Książka

Przejdź do źródła

Bibliogr. s. [52]

s. 28-[52] : il.

s. 28-[52] : il. ; 24 cm.

Informacja