Metoda dwutemperaturowego wzrostu krzemowych warstw epitaksjalnych = Two-temperature growth of Si epitaxial layers

Tytuł:: Metoda dwutemperaturowego wzrostu krzemowych warstw epitaksjalnych = Two-temperature growth of Si epitaxial layers
Metoda dwutemperaturowego wzrostu krzemowych warstw epitaksjalnych
Materiały Elektroniczne 1975 nr 1(9)
Autorzy:: Borkowicz Jerzy
Współwytwórcy:: Korec Jacek
Data publikacji:: 1975
Wydawca:: Wydaw. Przemysłu Maszynowego "WEMA"
Słowa kluczowe:: Si
warstwa epitaksjalna
epitaxial layer
Elektronika - czasopismo - materialy
Electronic - materials
Materiały elektroniczne
CVD
Electronic - journal - materials
Źródło:: http://katalog.pan.pl/webpac-bin/218bitmePL/wgbroker.exe?new+-access+top+search+open+NR+kv_5435
http://katalog.pan.pl/webpac-bin/218bitmeEN/wgbroker.exe?new+-access+top+search+open+NR+kv_5435
ITME, sygn. dostępny
Język:: polski
Prawa:: Prawa zastrzeżone - dostęp nieograniczony
Rights Reserved - Free Access
Linki:: https://rcin.org.pl/dlibra/publication/edition/19788/content Link otwiera się w nowym oknie
Dostawca treści:: RCIN - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych
: Książka

Przejdź do źródła

s. 40-47 : il. ; 24 cm.

Bibliogr. s. 47

s. 40-47 : il.

Informacja