Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Tytuł pozycji:

Heterogeneity in La distribution in highly La-doped SrTiO$_{3}$ crystals

Tytuł:
Heterogeneity in La distribution in highly La-doped SrTiO$_{3}$ crystals
Autorzy:
Szot, Kristof
Pilch, Michał Marek
Krok, Franciszek
Rodenbücher, Christian
Data publikacji:
2023
Słowa kluczowe:
insulator–metal transition
heterogeneity
lanthanum
strontium titanate
Język:
angielski
Prawa:
Udzielam licencji. Uznanie autorstwa 4.0 Międzynarodowa
http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/legalcode.pl
Dostawca treści:
Repozytorium Uniwersytetu Jagiellońskiego
Artykuł
Our paper is focused on the investigation of the dopant distribution in lanthanum-doped strontium titanate (LSTO) single crystals with a 5 wt.% doping level of La. Using X-ray diffraction analysis and pycnometric density measurement, we have found a discrepancy between the theoretical density and the experimentally determined value. The origin of this behavior could be either the creation of the voids in the matrix or the intergrowth of secondary phases with La surplus in the crystal. Transmission electron microscopy (TEM), energy-dispersive X-ray spectroscopy (EDX), and selected area diffraction (SAD) microscopic investigation have confirmed the second hypothesis, namely, that in different regions of LSTO, the local concentration of La shows a substantial variation on the micro- and nanoscopic scale. In order to study the influence of the La dopants on the electronic structure and, therefore, on the electrical conductivity, we have used the local conductivity atomic force microscopy (LCAFM) method as a local electrical probe to map the in-plane electrical conductivity of the La-doped crystal’s surface. The LCAFM conductivity maps reveal heterogeneous conductivity (here in the form of the bands with higher conductivity than the surroundings), related to band-like inhomogeneities of the La distribution. Using LCAFM measurements with atomic resolution obtained between the conducting and nonconducting regions, we analyzed the spreading (spatial expansion) of doping on the undoped or low-doped part of the STO crystal. The found limitation of the doping effect of La on the dielectric part of the STO crystal to 4–5 lattice constants was in good correlation with ab initio studies from the literature.

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies