Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Tytuł pozycji:

Formation by PECVD of very thin silicon oxynitride [SIOxNy] layers technology and characterisation

Szczegóły

Tytuł:: Formation by PECVD of very thin silicon oxynitride [SIOxNy] layers technology and characterisation
Autorzy:: Beck R.B.
Cuch M.
Wojtkiewicz A.
Kudla A.
Jakubowski A.
Tematy:: formation
PE-CVD process
process optimization
thin layer
silicon oxynitride
Język:: angielski
Dostawca treści:: AGRO
: Artykuł

Przejdź do źródła

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies

Informacja

Formation by PECVD of very thin silicon oxynitride [SIOxNy] layers technology and characterisation