Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Tytuł pozycji:

Numerical simulation of UV LED single quantum well based on AlGaN/GaN/AlGaN

Tytuł:
Numerical simulation of UV LED single quantum well based on AlGaN/GaN/AlGaN
Autorzy:
Rahou, Fatima Zahra
Data publikacji:
2024
Słowa kluczowe:
GaN
AlGaN
UV light emitting diode
silvaco Tcad
dioda emitująca światło UV
Język:
angielski
Dostawca treści:
BazTech
Artykuł
  Przejdź do źródła  Link otwiera się w nowym oknie  Pełny tekst  Link otwiera się w nowym oknie
Optical sources such as light-emitting diodes (LEDs) are good solutions for creating more robust luminaires, with better conversion efficiency and more environmentally friendly. The objective of this work is to study and to simulate ultraviolet light-emitting diode with a single GaN quantum well sandwiched between two layers; respectively p-doped and n-doped AlGaN, using the SILVACO software. This simulation allowed us to extract different characteristics of the LED, such as the current-voltage (I-V) characteristic, the emitted light power, the spontaneous emission rate, radiative recombination, Auger recombination, Shockley-Read-Hall recombination, optical gain, luminous flux, spectral power density, overall efficiency. These simulations allowed us to extract the electrical and optical characteristics of the ultraviolet light-emitting diode with a single quantum well based on p-AlGaN/GaN/n-AlGaN and examine their performance.
Źródła optyczne, takie jak diody elektroluminescencyjne (LED), są dobrym rozwiązaniem do tworzenia bardziej wytrzymałych opraw oświetleniowych o lepszej wydajności konwersji i bardziej przyjaznych dla środowiska. Celem tej pracy jest zbadanie i symulacja diody elektroluminescencyjnej ultrafioletowej z pojedynczą studnią kwantową GaN umieszczoną pomiędzy dwiema warstwami; odpowiednio p-doped i ndoped AlGaN, przy użyciu oprogramowania SILVACO. Ta symulacja pozwoliła nam wyodrębnić różne charakterystyki diody LED, takie jak charakterystyka prądowo-napięciowa (I-V), moc emitowanego światła, szybkość emisji spontanicznej, rekombinacja radiacyjna, rekombinacja Augera, rekombinacja Shockleya-Reada-Halla, wzmocnienie optyczne, strumień świetlny, gęstość widmowa mocy, ogólna wydajność. Te symulacje pozwoliły nam wyodrębnić charakterystyki elektryczne i optyczne diody elektroluminescencyjnej ultrafioletowej z pojedynczą studnią kwantową opartą na p-AlGaN/GaN/n-AlGaN i zbadać ich wydajność.
Opracowanie rekordu ze środków MNiSW, umowa nr POPUL/SP/0154/2024/02 w ramach programu "Społeczna odpowiedzialność nauki II" - moduł: Popularyzacja nauki i promocja sportu (2025).

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies