Modelowanie zjawisk elektryczno-cieplnych w ultrafioletowej diodzie elektroluminescencyjnej

W pracy przedstawiono wyniki modelowania zjawisk elektryczno-cieplnych w diodzie elektroluminescencyjnej emitującej promieniowanie w zakresie bliskiego ultrafioletu i wykonanej na bazie azotku galu. W szczególności skupiono się na sprawdzeniu wpływu na pracę modelowanego przyrządu takich parametrów jak: szerokość kontaktów, położenie kontaktów, szerokość mesy, głębokość trawienia mesy, grubość podłoża. Otrzymane wyniki pozwoliły wybrać do dalszych prac technologicznych rozwiązania konstrukcyjne rokujące otrzymanie przyrządu o dobrych parametrach eksploatacyjnych.

---

In the present paper presents results of modelling of thermal and electrical processes in the GaN-based electroluminescent diode emitting in the near-ultraviolet range. An influence of design parameters, such as: thickness and position of contacts, etching depth and thickness of mesa, thickness of the substrate, on the device operation has been analyzed. The obtained results enable to choose promising designs providing good operation properties of the considered device which may be a subject of further technological research.