Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Tytuł pozycji:

Influence of Penning ionization on ion source efficiency – numerical simulations

Tytuł:
Influence of Penning ionization on ion source efficiency – numerical simulations
Autorzy:
Turek, M.
Mączka, D.
Droździel, A.
Pyszniak, K.
Vaganov, Y.
Węgierek, P.
Data publikacji:
2018
Słowa kluczowe:
ion source
Penning ionisation
numerical simulation
źródło jonów
jonizacja Penninga
symulacja numeryczna
Język:
angielski
Dostawca treści:
BazTech
Artykuł
  Przejdź do źródła  Link otwiera się w nowym oknie
The numerical model of ionization in the plasma ion source taking the electron impact and Penning effect into account is presented. The influence of the Penning effect on the ionization efficiency is under investigation - it is shown that the carrier gas could improve ionization efficiency several times compared to the pure electron ionization case. Changes of the yield from the Penning ionization are investigated as a function of carrier gas concentration, ionization degree and concentration of carrier gas atoms in the metastable state.
Przedstawiony jest model źródła jonów uwzględniający jonizację Penninga i elektronami. Zastosowanie gazu nośnego skutkujące zachodzeniem jonizacji Penninga może zwiększyć wydajność jonizacji nawet kilkukrotnie. Zbadano zmiany wydajności jonizacji od koncentracji gazu nośnego, atomów w stanie metastabilnym i stopnia jonizacji plazmy.
Opracowanie rekordu w ramach umowy 509/P-DUN/2018 ze środków MNiSW przeznaczonych na działalność upowszechniającą naukę (2018).

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies