Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Tytuł pozycji:

Metody wykrywania centrów defektowych w materiałach półprzewodnikowych

Tytuł:
Metody wykrywania centrów defektowych w materiałach półprzewodnikowych
Autorzy:
Piwowarski, Karol
Tomczyk, Patryk
Data publikacji:
2024
Słowa kluczowe:
centra defektowe
materiały półprzewodnikowe
HRPITS
DLTS
defect centers
semiconductor materials
Język:
polski
Dostawca treści:
BazTech
Artykuł
  Przejdź do źródła  Link otwiera się w nowym oknie
Występujące w materiale półprzewodnikowym centra defektowe i ich właściwości odgrywają znaczącą rolę w kształtowaniu właściwości i parametrów wykonanych z nich urządzeń elektronicznych. W artykule przedstawiono metody wykrywania centrów defektowych w materiałach półprzewodnikowych. Omówiono zasadę ich działania i jakiego rodzaju próbki są badane daną metodą.
The defect centers and their properties in the semiconductor material play a significant role in shaping the properties and parameters of electronic devices made of them. The article presents methods for detecting defect centers in semiconductor materials. The principle of their operation and what types of samples are tested by a given method are discussed.

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies