Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Tytuł pozycji:

Elektrotermiczny model tranzystora MESFET

Tytuł:
Elektrotermiczny model tranzystora MESFET
Autorzy:
Bisewski, D.
Zarębski, J.
Data publikacji:
2012
Słowa kluczowe:
tranzystor MESFET
samonagrzewanie
elektrotermiczny model elementu półprzewodnikowego
Język:
polski
Dostawca treści:
BazTech
Artykuł
  Przejdź do źródła  Link otwiera się w nowym oknie
Praca dotyczy problematyki modelowania tranzystorów MESFET z uwzględnieniem zjawiska samonagrzewania. Omówiono postać autorskiego elektrotermicznego modelu rozważanego elementu półprzewodnikowego. Zaprezentowano wyniki weryfikacji eksperymentalnej modelu na przykładzie dwóch tranzystorów MESFET, tj. wykonanego z arsenku galu tranzystora NE650103M firmy California Eastern Laboratories oraz wykonanego z węglika krzemu tranzystora CRF24010 firmy Cree, Inc.. Oceniono wpływ temperatury na wybrane charakterystyki statyczne wymienionych tranzystorów.
The paper deals with the problem of modelling of MESFETs including self-heating phenomenon. The form of electrothermal model of considered semiconductor device is presented. The model has been verified experimentally. The results of calculations and measurements of NE650103M (California Eastern Laboratories) gallium arsenide MESFET as well as CRF24010 (Cree, Inc.) silicon carbide MESFET are given as well. An influence of temperature on selected static characteristics of the devices was examined.

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies