Computations of RHEED intensities for growing surfaces of GaAs

A novel and practical algorithm for the determination of intensities in reflection high-energy electron diffraction RHEED) for off-symmetry azimuths is presented. The usefulness of the algorithm is demonstrated for calculations of rocking curves for GaAs. Then the problem of RHEED oscillations that appear during regular growth of nanolayers is discussed. A calculated plot of the oscillation phase is compared with experimental data taken from the literature. Only :he unreconstructed surface of GaAs is considered in this analysis, however, even for such a simplified case, the plot of the theoretical phase reproduces the experimental results reasonably well.

---

Zaprezentowano nowy, praktyczny algorytm komputerowy do wyznaczania natężeń wiązki zwierciadlanej dla dyfrakcji odbiciowej elektronów wysokoenergetycznych (zakłada się, że padająca wiązka elektronów nie pokrywa się z kierunkami osi symetrii powierzchni kryształu). Użyteczność algorytmu zademonstrowano w obliczeniach krzywych odbicia dla arsenku galu. Następnie omówiono zagadnienie charakterystycznych oscylacji natężenia wiązki odbitej zwierciadlanie, które pojawiają się, gdy wzrost warstw nanostrukturalnych odbywa się w sposób bardzo regularny. W szczególności przeprowadzono porównanie literaturowego wykresu fazy oscylacji uzyskanego na podstawie pomiarów z wykresem sporządzonym na podstawie obliczeń. Uzyskano dobrą zgodność wyników eksperymentalnych i teoretycznych, chociaż w pracy rozważano tylko najprostszy model powierzchni kryształu arsenku galu.