Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Tytuł pozycji:

Synthesis of mono layer graphene oxide from sonicated graphite flakes and their Hall effect measurements

Tytuł:
Synthesis of mono layer graphene oxide from sonicated graphite flakes and their Hall effect measurements
Autorzy:
Siyar, M.
Maqsood, A.
Khan, S. B.
Data publikacji:
2014
Słowa kluczowe:
GO (grapheme oxide)
monolayer
sonication
electrical resistivity
Język:
angielski
Dostawca treści:
BazTech
Artykuł
  Przejdź do źródła  Link otwiera się w nowym oknie
Graphene, a single atom thick sheet is considered a key candidate for the future nanotechnology, due to its unique extraordinary properties. Researchers are trying to synthesize bulk graphene via chemical route from graphene oxide precursor. In the present work, we investigated a safe and efficient way of monolayer graphene oxide synthesis. To get a high degree of oxidation, we sonicated the graphite flakes before oxidation. X-ray diffraction (XRD) and Fourier transform infrared spectroscopy (FTIR) results confirmed graphene oxide formation and high degree of oxidation. Raman spectroscopy and atomic force microscopy (AFM) results revealed a monolayer of graphene oxide (GO) flakes. The sheet like morphology of the GO flakes was further confirmed by scanning electron microscopy (SEM). The Hall effect measurements were performed on the GO film on a silica substrate to investigate its electrical properties. The results obtained, revealed that the GO film is perfectly insulating, having electrical resistivity up to 8.4 × 108 (W_cm) at room temperature.

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies