Tytuł pozycji:
Aktywna metoda kontroli rozkładu napięć na szeregowo połączonych tranzystorach SiC MOSFET w łączniku 3,3 kV
Niniejszy artykuł omawia aktywną metodą kompensacji nierównomiernego rozkładu napięć na szeregowo połączonych tranzystorach łącznika energoelektronicznego średniego napięcia, zbudowanego z wykorzystaniem modułów SiC MOSFET o napięciu przebicia 1,7 kV. Dzięki pomiarom napięć oraz odpowiedniemu opóźnieniu sygnałów sterujących można wyrównać napięcia na tranzystorach nie zwiększając czasów przełączania i energii wytracanych w tranzystorach. Artykuł ilustruje wyniki badań symulacyjnych i eksperymentalnych opracowanego łącznika przy napięciu 1,5 kV i prądzie 150 A.
These paper presents active voltage balancing method of series connected transistors in medium voltage power switch, built of 1,7 kV SiC MOSFET modules. By measuring appropriate voltages in the power circuit and delaying the gate signals, it is possible to provide equal voltage sharing between transistors, without increasing the switching times and losses. The article illustrates the results of simulation study and laboratory experiments of developed power switch at 1,5 kV and 150 A.
Opracowanie rekordu ze środków MNiSW, umowa Nr 461252 w ramach programu "Społeczna odpowiedzialność nauki" - moduł: Popularyzacja nauki i promocja sportu (2020).
