Struktura pułapkowa izolatorów ceramicznych sieci energetycznych średnich napięć

O własnościach elektrycznych izolatora w znacznym stopniu decyduje struktura energetyczna defektów sieci krystalicznej. Defekty sieci powodują powstanie zlokalizowanych poziomów elektronowych wewnątrz przerwy energetycznej izolatora. W zależności od wartości energii aktywacji poziomy te mogą pełnić rolę pułapek nośników ładunku lub centrów rekombinacji. Strukturę pułapkową izolatorów ceramicznych sieci energetycznych średnich napięć badano przy użyciu termoluminescencji. W zakresie temperatur 300 – 600 K widmo termoluminescencji pokazuje obecność co najmniej kilku pułapek i centrów rekombinacji, których parametry zależą od rodzaju badanego izolatora.

---

Electrical properties of an insulator are largely determined by the energy structure of the crystal lattice defects. Lattice defects give rise to localized electronic levels inside the energy gap of the insulator. These energy levels may act as charge carrier traps or recombination centers depending on the value of the activation energy. The trap structure of the ceramic insulators of medium voltage power networks were studied using thermoluminescence. In the temperature range of 300 – 600 K thermoluminescence glow curve shows the presence of at least a few traps and recombination centers, whose parameters depend on the type of insulator under study.