Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Tytuł pozycji:

Magnetorezystancyjne sensory cienkowarstwowe – przykład osiągnięć nowoczesnej sensoryki

Tytuł:
Magnetorezystancyjne sensory cienkowarstwowe – przykład osiągnięć nowoczesnej sensoryki
Autorzy:
Majewski, J.
Data publikacji:
2005
Słowa kluczowe:
sensor cienkowarstwowy
sensor magnetorezystancyjny
półprzewodnik
thin-film sensor
magnetoresistive sensor
semiconductor
Język:
polski
Dostawca treści:
BazTech
Artykuł
  Przejdź do źródła  Link otwiera się w nowym oknie
Zewnętrzne pole magnetyczne może w różny sposób wpływać na przewodzenie prądu przez metale lub półprzewodniki. Wśród zjawisk z tym związanych największe zainteresowanie skupia efekt Halla (HE) oraz efekty magnetorezystancyjne (MR), m.in. z uwagi na możliwość bezstykowych pomiarów za pomocą sensorów opartych na tych efektach. Spośród sensorów MR najwcześniej, bo w latach 70. ub. wieku, zaczęto produkować na skalę przemysłową sensory działające na zasadzie anizotropowego zjawiska magnetorezystancyjnego (oznaczanego skrótem: AMR). Sensory AMR mogą np. określać położenie pedału gazu lub przepustnicy w silniku samochodowym, położenie wału korbowego, kół zębatych w przekładni, wykrywać obecność lub ruch pojazdów (np. wojskowych) lub okrętów. Dzięki swym szerokim możliwościom sensory AMR znajdują zastosowanie w sterowaniu robotami przemysłowymi lub obrabiarkami, a także przebiegiem całych procesów produkcji.

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies